氮化铝AlN晶体/衬底/外延片

氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质，如其禁带宽度高达 6.2eV，同时具有高

击穿场强、高饱和电子迁移率、高化学和热稳定性，及高导热、抗辐射等优异性能，因此氮化铝是紫外／深紫外 LED、

紫外 LD 最佳衬底材料，也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外，氮化铝具有优良的压电性、高的声表面

波传播速度和较高的机电耦合系数，是 GHz 级声表面波器件的优选压电材料。

二面体提供高质量氮化铝（AlN）晶体、衬底以及薄膜（硅基AlN薄膜、蓝宝石基AlN薄膜和金刚石基AlN薄膜）等材料的定制服务。

Applications

1. 高温功率电子器件，例如高温功率放大器、开关和整流器。
2. 造紫外LED。这些LED在污染检测、生物传感等领域有着广泛的应用。
3. 无线通信、传感和滤波器等应用。
4. 射频功率放大器、射频开关和射频滤波器。
5. 高效散热器、热传感器和高功率电子设备的冷却解决方案。
6. 电子和光子集成器件，如光电子集成芯片和传感器。
7. 超声波传感器，用于测量、检测和成像等领域。

Features

1. 氮化铝具有较大的带隙能隙，通常在6至6.2电子伏特（eV）之间，这使得它在紫外光和深紫外光的应用中表现出色。
2. 氮化铝具有出色的热导率，通常在150至320热导率（W/m·K）之间，这使得它在高功率电子器件和热管理领域具有重要作用。它能有效地散热，降低器件温度，提高器件的稳定性和性能。
3. 氮化铝的高电子迁移率使其成为高频电子器件的理想材料。这在射频应用中尤其重要，例如射频功率放大器和射频开关。
4. 良好的声表面波性能。
5. 氮化铝化学稳定性好使其适用于各种环境和应用。
6. 由于其宽带隙能隙，氮化铝在光学传感器、光通信和光学器件中具有应用潜力。

项目	参数
尺寸	10mm*10mm, 1inch
厚度	500±50μm or customized
晶向	<0001>
公差	±0.5°
(002)XRD FWHM	<150 arcsec
(102)XRD FWHM	<150 arcsec
抛光类型	Al面: CMP; N面: MP
粗糙度 (Ra.)	<0.3nm
厚度变化	<10μm

规格参数(parameters)

AlN/Si

AlN/Al2O3

AlN/C(金刚石)

产品类型

AlN on Si-001

AlN on sapphire-002

AIN on diamond-003

基底（Substrate）

500±10μm Si(111) （可

定制）

430-440μm Sap(002)

（可定制）

200μm~500μm;多晶

尺寸（inch）可订制

2-4

10*10mm; 2"

AlN 膜厚（Thickness）

5～200nm

5200nm

晶向（Orientation）

c-aixs [0001]

粗糙度（nm） (5x5μm)

Ra< 1.5nm (200nm)

Ra < 1.2nm (200nm)

Ra < 2nm (200nm)

HRXRD 半高宽@（0002）

＜0.9 °

＜0.05 °

＜3°

翘曲度(Warp)

＜30μm

弯曲度(Bow)

-10 ~15μm

包装（Packaging）

晶圆盒

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氮化铝AlN晶体/衬底/外延片

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Features

Properties